廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽(yáng)能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

太陽(yáng)能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。鄭州電池濕法堿拋設(shè)備濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能有效將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢(shì)：閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式，l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃l引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。

要降低電池濕法設(shè)備的成本，可以從以下幾個(gè)方面入手：1.選用合適的設(shè)備：在購(gòu)買設(shè)備時(shí)，要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的設(shè)備，不要盲目追求高級(jí)設(shè)備，以免造成不必要的浪費(fèi)。2.優(yōu)化工藝流程：通過(guò)優(yōu)化工藝流程，可以減少設(shè)備的使用量和能耗，從而降低成本。例如，可以采用更高效的電解液、調(diào)整電流密度等。3.控制原材料成本：原材料是電池濕法設(shè)備的主要成本之一，要盡可能地降低原材料成本。可以通過(guò)采購(gòu)優(yōu)良、低價(jià)的原材料、與供應(yīng)商談判降低價(jià)格等方式實(shí)現(xiàn)。4.加強(qiáng)設(shè)備維護(hù)：定期對(duì)設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng)，可以延長(zhǎng)設(shè)備壽命，減少故障率，從而降低維修和更換設(shè)備的成本。5.提高生產(chǎn)效率：通過(guò)提高生產(chǎn)效率，可以減少生產(chǎn)時(shí)間和能耗，從而降低成本?？梢圆捎米詣?dòng)化生產(chǎn)線、提高工人技能水平等方式實(shí)現(xiàn)。總之，降低電池濕法設(shè)備的成本需要從多個(gè)方面入手，需要綜合考慮各種因素，才能實(shí)現(xiàn)更佳效果。濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。

濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

電池濕法設(shè)備配合先進(jìn)的干燥技術(shù)，可有效去除電池漿料中的水分和其他雜質(zhì)，提高電極的干燥效果。廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺(tái)歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺(tái)搭配了大流量全新滴液泵；廣州硅片濕法堿拋設(shè)備

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